Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в индустрии NAND флеш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек.
Как отмечает производитель, новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях.


Апрель 13th, 2018
raven000
Опубликовано в рубрике