Samsung начала выпускать трехмерную NAND-памяти
Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимых чипов. Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства флеш-памяти NAND с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. Первый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую надёжность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флеш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями. «Наряду с запуском производства
Читать далее