Samsung начала выпускать трехмерную NAND-памяти
Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимых чипов.
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства флеш-памяти NAND с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти.
Первый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую надёжность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флеш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями.
«Наряду с запуском производства первой в мире флеш-памяти 3D V-NAND мы продолжим представлять новые 3D V-NAND-устройства с улучшенной производительностью и более высокой плотностью. Это поспособствует дальнейшему росту мировой индустрии продуктов памяти», — заявил Чжон-Хек Чой, старший вице-президент направления флеш-памяти и технологий компании Samsung Electronics.
В CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти. Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.
Вертикальная компоновка ячеек Samsung V-NAND позволяет объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления позволяет сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпускать NAND флеш-память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек вместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.